مدار ذخیره انرژی سیم پیچ سلف

جایی که L اندوکتانس در واحد هانری، V L ولتاژ دوسر سیم پیچ و di/dt نرخ تغییر جریان بر حسب آمپر بر ثانیه، A/s است.. اندوکتانس L در واقع معیاری از «مقاومت» سلف در برابر تغییر جریان عبوری از مدار است و هر چه مقدار آن در هانری بزرگتر